型号:

IRLML6302TRPBF

RoHS:无铅 / 符合
制造商:International Rectifier描述:MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IRLML6302TRPBF PDF
产品目录绘图 IR Hexfet Micro-3, SOT-23
标准包装 3,000
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 780mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 610mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.45V
输入电容 (Ciss) @ Vds 97pF @ 15V
功率 - 最大 540mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 Micro3?/SOT-23
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRLML6302PBFTR
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